Cei de la Chipworks au analizat in detaliu chip-ul A7 al iPhone 5S si alte componente ale noului terminal, reusind chiar sa fotografieze interiorul chip-ului conceput de catre compania americana. Fara sa surprinda prea multa lume, cei de la Chipworks sutin ca aceasta componenta este produsa folosind un proces de fabricatie de 28nm, in ultimele luni aparand nenumarate zvonuri care indicau acest lucru. Daca va intrebati de unde vine si o parte din puterea de procesare mai mare, ei bine distanta dintre fiecare tranzistor al chip-ului A7 este de 114 nanometri, fata de cei 123 de nanometri masurati pentru chip-ul A6.
The “gate pitch,” or distance between each transistor, inside the A7 is 114 nanometers, smaller than the 123-nanometer distance found in the A6. That allows Apple to pack as much power as the A6 into an area 77 percent as large. But the A7 chip uses an even larger amount of total space than the A6, which means the extra space offered by the 28-nanometer process has allowed Apple to significantly improve the performance of its latest mobile processor.
Utilizarea procesului de fabricatie de 28nm a oferit celor de la Apple si posibilitatea de a imbunatati eficienta energetica a noului sau chip, el fiind prezentat ca o foarte mare evolutie fata de modelul anterior. Pana acum iPhone 5S a fost catalogat drept cel mai rapid smartphone de pe glob, conform primelor benchmark-uri, iar acest chip A7 sta la baza performantelor sale foarte bune.
