iPhone 7 urmeaza sa fie lansata in cursul acestei toamne de catre compania Apple, iar conform unor informatii aparute in cursul acestei zile, noul smartphone ar putea avea un nou tip de memorie flash ultra-rapida dezvoltat de catre compania Samsung si implementat in Galaxy S7.
Conform unei publicatii asiatice, Apple a contractat Samsung pentru a cumpara module de spatiu de stocare NAND flash ce vor ajunge in iPhone si probabil iPad, colaborarea dintre companii fiind reluata dupa 4 ani in care Apple s-a bazat pe SK Hynix si alte companii pentru module de memorie.
Samsung a implementat in Galaxy S7 un nou tip de memorie NAND Flash UFS ce ofera performante ridicate pentru transferul de date, iar el ar putea ajunge inclusiv in iPhone 7 daca Samsung l-ar putea pregati la timp pentru implementare in produsele celor de la Apple.
iPhone 7 ar putea avea NAND Flash Samsung
Problema in momentul de fata este ca aceste module de memorie trebuie protejate suplimentar pentru a emite mai putina interferenta electromagnetica in interiorul carcasei, iar Samsung lucreaza cu diversi parteneri pentru a face aceasta modificare pentru componenta.
Samsung Electronics’ DS Memory Business Department is planning to supply NAND-Flash memories to Apple for iPhones. Samsung Electronics is co-developing EMI shielding process that uses spray method with Protec. EMI shielding for semiconductor chip takes place by adding a process that covers ultra-thin metal on top of packaging’s surface.
Avand in vedere ca Samsung nu a mai folosit acest proces de protejare suplimentara a modulelor de memorie impotriva interferentelor electromagnetice, exista sanse ca aceste module de memorie sa nu ajunga in iPhone pana anul viitor.
Daca ele vor ajunge, atunci iPhone 7 ar putea fi cu de pana la 2 ori mai rapid decat iPhone 6S in ceea ce priveste transferul de date in terminal si cu alte dispozitive, insa totul depinde de capacitatea Samsung de a pregati componentele pentru implementare.
