Samsung GALAXY S10: Surpriza URIASA A Samsung

Samsung GALAXY S10 este inca departe de lansare, insa asta nu-i opreste pe leakeri sa ne ofere informatii cu privire la viitorul model de smartphone al companiei coreene, mai ales ca el este si foarte asteptat. Conform unor informatii aparute astazi, Samsung GALAXY S10 urmeaza sa vina echipat cu memorie RAM LPDDR5 si medii de stocare NAND UFS 3.0, ceva ce va contribui serios la cresterea performantelor noului telefon mobil, care trebuie sa fie mai bun decat viitoarele iPhone.

Samsung GALAXY S10 cu RAM DDR 5 ar putea oferi sporuri serioase de performante in toate testele pe care le pot face utilizatorii, iar acele medii de stocare NAND UFS 3.0 vor fi extrem de utile pentru manipularea fisierelor mari. Cei de la Samsung intentioneaza sa inceapa productia acestor componente in a doua parte a acestui an, deci sansele ca ele sa ajunga in Samsung GALAXY S10 sunt foarte mari, iar atunci Apple ar putea avea probleme serioase.

Samsung GALAXY S10: Surpriza URIASA A Samsung

Samsung GALAXY S10 ar putea fi si singurul smartphone premium echipat cu memorie RAM LPDDR5, iar asta deoarece deocamdata telefoanele folosesc memorii RAM LPDDR4, care ofera oricum performante ridicate. Nu se stie deocamdata cat de mare ar putea fi sporul de performante pentru Samsung GALAXY S10 multumita acestor noi memorii RAM, insa ne putem astepta la un minim de 20% fata de generatia anterioara, in cel mai rau caz.

Samsung GALAXY S10 va beneficia si de o reducere a consumului memoriei RAM, deoarece in general upgrade-urile de acest gen aduc beneficii atat pentru performante, cat si pentru consum. Cei de la Samsung vor incepe productia acestor componente spre sfarsitul anului, insa asamblarea primelor unitati ale Samsung GALAXY S10 cu aceste componente va incepe abia spre sfarsitul anului, sau chiar anul viitor, insa totul depinde de capacitatea coreenilor de a fabrica suficiente componente fara probleme.