Samsung, liderul global în tehnologia inovației, este pe cale să redefinească standardele industriei de memorie la conferința IEEE International Solid-State Circuit din 2024. Anunțul anticipat al gigantului sud-coreean despre lansarea unor produse de memorie revoluționare promite să marcheze un nou capitol în evoluția tehnologică.
În centrul acestei inovații stă dezvăluirea memoriei GDDR7, care a captat deja atenția industriei pentru potențialul său de a spori performanța sistemelor de calcul de înaltă densitate. Totuși, Samsung nu se oprește aici. Compania este pregătită să impresioneze și mai mult prin introducerea unui cip de memorie DDR5 superrapid, care promite să schimbe regulile jocului în domeniul tehnologiei de memorie.
DRAM-ul DDR5 de 32 Gb, dezvoltat prin utilizarea avansatei tehnologii de proces de 12 nanometri (nm), reprezintă un salt major față de predecesorii săi. Cu o capacitate dublă comparativ cu DRAM-ul DDR5 de 16 Gb, acest nou cip oferă o soluție de memorie de mare capacitate în aceeași dimensiune a pachetului, subliniind angajamentul Samsung de a împinge limitele inovației tehnologice.
Detaliile tehnice ale cipului DDR5 dezvăluit de Samsung sunt impresionante. Viteza I/O de până la 8000Mbps per pin și arhitectura simetrică-mozaic, împreună cu utilizarea nodului de turnătorie de generație a cincea de 10 nm, special adaptat pentru produsele DRAM, sunt dovezi ale eforturilor neobosite de cercetare și dezvoltare ale companiei.
Samsung va lansa noi module RAM DDR5 mai rapide
SangJoon Hwang, vicepreședinte executiv al DRAM Product & Technology la Samsung Electronics, a subliniat importanța acestui progres. “Cu DRAM-ul nostru de 32 Gb de clasa 12 nm, am asigurat o soluție care va permite module DRAM de până la 1 teraoctet (TB), permițându-ne să fim poziționați ideal pentru a servi nevoile tot mai mari de DRAM de mare capacitate în era AI și big data,” a declarat Hwang.
Această tehnologie avansată de memorie nu numai că permite producerea unor module de 128 GB fără necesitatea procesului Through Silicon Via (TSV), dar reduce și consumul de energie cu aproximativ 10%. Acest fapt reprezintă o veste binevenită pentru centrele de date, care se confruntă cu cerințe din ce în ce mai mari de energie, exacerbate de sarcinile de procesare ale AI.
Noile module DDR5 permit crearea de DIMM-uri de 32 GB și 48 GB la viteze DDR5-8000 în configurații cu un singur rang, și de asemenea, acceptă DIMM-uri de 64 GB și 96 GB în configurații dual-rank, deschizând noi orizonturi pentru performanța sistemelor informatice.
Pe măsură ce conferința IEEE International Solid-State Circuit se apropie, așteptările sunt mari pentru Samsung să ofere mai multe detalii despre această tehnologie revoluționară. Într-o eră marcată de cerințe tot mai mari pentru procesare rapidă și eficiență energetică, inovațiile Samsung în domeniul memoriei promit să ofere soluții esențiale pentru provocările tehnologice ale viitorului.
